1993.9-1997.7 8803威尼斯检查中心材料科学与工程系，本科学习，获学士学位；
1997.9-2000.6 8803威尼斯检查中心，硕士研究生学习，获硕士学位；
2003.9-2009.6 8803威尼斯检查中心，博士研究生学习，获博士学位。

2000年留校任教以来主讲过“电磁学”、“数学物理方法”、“薄膜材料的制备原理技术及应用”、“光电检测”等6门本科生课程。已毕业硕士研究生4人；现指导硕士研究生3人。

总体概述：

主要对半导体材料的合成、性能及器件进行研究，包括ZnO纳米棒的生长、掺杂和光电特性，以及GaN基异质结LED的制备和性能等方面开展研究。以骨干身份参加在研的国家自然科学基金三项，主持省基础研究项目2项。 以第一作者和通信作者在SCI收录期刊（包括Royal Society of Chemistry advances和Applied Surface Science)发表论文8篇，授权国家发明专利5项。

承担项目：

1、主持山西省自然科学基金 “GaN/Ga2O3核壳结构纳米线的制备及特性研究2014011016-6”。

2、主持山西省自然科学基金“ZnO纳米棒/GaN异质结的微观结构与能带结构调控研究    201801D121101”。

代表性论文（专著、教材）：

[1] Rui Li, Chunyan Yu, Hailiang Dong, Wei Jia, Tianbao Li, Zhuxia Zhang and Bingshe Xu. Effects of Ga_xZn_1−xO nanorods on the photoelectric properties of n-ZnO nanorods/p-GaN heterojunction light-emitting diodes. RSC Advances，2017，7:49613-49617.（通讯作者）

[2] Yu Chunyan, Li Rui, Litianbao, Dong Hailiang, Jia Wei, Xu Bingshe. Effect of Indium doping on the photoelectric properties of n-ZnO nanorods/p-GaN heterojunction light-emitting diodes. Superlattices and Microstructures，2018，120:298-304.

[3] Yu Chunyan, Tian Linhai, Wang Shebin, Li Tianbao, Xu Bingshe. The effect of substrate bias voltages on impact resistance of CrAlN coatings deposited by modified ion beam enhanced magnetron sputtering. Applied  Surface Science，2009，255: 4033-4038.

      参与编写了《半导体化合物光电器件制备》. 北京：化学工业出版社 ，2014，2.

授权专利：

1、许并社，余春燕，郭端阳，张竹霞. 一种闭合场非平衡磁控溅射制备铬铝氮薄膜的方法.专利号： ZL201410433420.9；

2、李天保，贾伟，许并社，余春燕，章海霞等. 一种垂直结构发光二极管的制备方法. 专利号： ZL201510022433.1；

3、李天保，贾伟，梁建，许并社，余春燕等. 一种低成本氮化镓基发光二极管制备方法. 专利号： ZL201410750310.5。